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韓報(bào)告:大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)被中國趕超

據(jù)韓聯(lián)社23日?qǐng)?bào)道,韓國科技評(píng)估與規(guī)劃研究院當(dāng)天發(fā)布的調(diào)查報(bào)告顯示,韓國絕大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)已被中國趕超。該研究院針對(duì)39名韓國專家進(jìn)行問卷調(diào)查的結(jié)果顯示,截至去年,韓國所有半導(dǎo)體領(lǐng)域的基礎(chǔ)力量均落后于中國。若將技術(shù)最先進(jìn)國家的水平設(shè)為100%,韓國在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)芯片技術(shù)領(lǐng)域?yàn)?0.9%,低于中國(94.1%);在高性能、低功耗的人工智能(AI)芯片領(lǐng)域,韓國(84.1%)不及中國(88.3%)。 在功率半導(dǎo)體方面,韓國為67.5%,中國高達(dá)79.8%;在新一代高性能傳感技術(shù)方面,韓中兩國分別為81.3%和83.9%;半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)方面,兩國均為74.2%。據(jù)報(bào)道,在針對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域整體技術(shù)生命周期的問卷調(diào)查中,韓國在工藝和量產(chǎn)方面領(lǐng)先于中國,但在技術(shù)、原創(chuàng)及設(shè)計(jì)領(lǐng)域落后于中國。而從商業(yè)化角度來看,韓國僅在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)芯片和先進(jìn)封裝方面領(lǐng)先中國。 值得關(guān)注的是,參與此次調(diào)查的專家在2022年認(rèn)為韓國在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)芯片、先進(jìn)封裝以及新一代高性能傳感技術(shù)等方面均領(lǐng)先中國,但僅兩年就改變了看法。專家們認(rèn)為,韓國半導(dǎo)體技術(shù)水平未來面臨的問題主要有核心人才流失、AI芯片技術(shù)、中美競爭、本國優(yōu)先政策、供應(yīng)鏈本地化等,其中只有AI芯片技術(shù)可能對(duì)韓國的技術(shù)水平產(chǎn)生積極影響。 韓國《首爾經(jīng)濟(jì)》23日注意到,中國在美國施加的巨大壓力下仍取得了這樣的成果。韓國YTN電視臺(tái)評(píng)論稱,推動(dòng)“半導(dǎo)體崛起”的中國在10年間持續(xù)進(jìn)行國家層面的大規(guī)模投資,相關(guān)成果逐漸顯現(xiàn)?!坝绕淞钊藫?dān)憂的是”,韓企在具有優(yōu)勢(shì)的存儲(chǔ)器領(lǐng)域和戰(zhàn)略價(jià)值較高的傳感器領(lǐng)域,時(shí)隔兩年被中國反超。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)專務(wù)理事安基鉉(音)表示,中國投入相當(dāng)多的研究開發(fā)費(fèi)用支持學(xué)?;蜓芯繖C(jī)構(gòu),以確保人才和原創(chuàng)技術(shù),形成了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

發(fā)布日期: 2025-2-25

文章來源: 半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)網(wǎng)

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整合編輯: 何艷艷