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芯片分類

芯片列表

芯片型號 芯片描述 制造廠商
CiT-FCT138T 一款高速的1-8 解碼器/ 輸出選擇器，該器件非常適合高速雙極性存儲器芯片的地址譯碼 高科創(chuàng)芯（北京）科技有限公司
CiT-FCT244T 具有三態(tài)輸出的八路緩沖器和線路驅動器，用作存儲器和地址驅動器、時鐘驅動器和總線發(fā)送器/ 接收器 高科創(chuàng)芯（北京）科技有限公司
XC2023 XC3023 XC3023是主要用于JMK-94F系列磁保持繼電器的專用集成電路。 北京福星曉程電子科技股份有限公司
MC4581-4583 MC4581L是一款低壓，CMOS工藝，帶有一路八選一的模擬集成電路 北京麥格希爾微電子有限公司
MC82C55 MC82C55是一款可編程通用的I/O接口器件，器件采用3um硅柵CMOS工藝制造 北京麥格希爾微電子有限公司
MC82C53 MC82C53是 一　款 應　用于微機系統(tǒng)的可編程通用的計時器，器件采用3um CMOS硅柵工藝 北京麥格希爾微電子有限公司
MC82C51 　MC82C51是一個用于串行數據通信的USART（通用同步/異步接收發(fā)送器） 北京麥格希爾微電子有限公司
MC3512 北京麥格希爾微電子有限公司
MC3115 北京麥格希爾微電子有限公司
MC4910 北京麥格希爾微電子有限公司
MC4210 北京麥格希爾微電子有限公司
MC4202 北京麥格希爾微電子有限公司
MC6000 　MC6000主要用來滿足GaAs和HEMT場效應晶體管（FET） 北京麥格希爾微電子有限公司
MC4000 　MC4000主要用來滿足GaAs和HEMT場效應晶體管（FET） 北京麥格希爾微電子有限公司
MC3211 MC3211主要用來滿足GaAs和HEMT場效應晶體管（FET） 北京麥格希爾微電子有限公司
BCT4157 BCT4157是一個高帶寬，快速的單刀雙擲CMOS開關。它可用于模擬量的開關或者一個低延時的總線開關。工作電壓1.65V到5.5V，在2.7V供電情況下，最大導通電阻4.5Ω，在4.5V供電情況下，最大導通電阻為3.5Ω。 先關斷再閉合避免了兩路開關同時打開,在開關導通時，這將消除信號的失真。 控制輸入S端，允許的輸入驅動信號幅值達到5.5V并且和供電電壓是獨立的。可替代市場上的FSA3157/NC7SB3157。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4157B BCT4157是一個高帶寬，快速的單刀雙擲CMOS開關。它可用于模擬量的開關或者一個低延時的總線開關。工作電壓1.65V到5.5V，在2.7V供電情況下，最大導通電阻4.5Ω，在4.5V供電情況下，最大導通電阻為3.5Ω。 先關斷再閉合避免了兩路開關同時打開,在開關導通時，這將消除信號的失真。 控制輸入S端，允許的輸入驅動信號幅值達到5.5V并且和供電電壓是獨立的?？商娲袌錾系腇SA3157/NC7SB3157。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4257 BCT4257是一個高帶寬，快速的單刀雙擲CMOS開關。它可用于模擬量的開關或者一個低延時的總線開關。工作電壓1.65V到5.5V，在2.7V供電情況下，最大導通電阻4.5Ω，在4.5V供電情況下，最大導通電阻為3.5Ω。 先關斷再閉合避免了兩路開關同時打開,在開關導通時，這將消除信號的失真。 控制輸入S端，允許的輸入驅動信號幅值達到5.5V并且和供電電壓是獨立的?？商娲袌錾系?4LVC1G3157。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4223 BCT4223是一款高性能雙路單刀雙擲（SPDT）模擬開關。 在1.65V至5.0V的寬工作電源范圍內指定。 目標應用包括由超低導通電阻（0.4Ω）和快速開關速度獲益的電池供電設備。先開后切開關可以防止兩個開關同時啟用。 這消除了切換過程中的信號中斷。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4268 BCT4268是一款高性能雙路單刀雙擲（SPDT）模擬開關。 在1.65V至5.0V的寬工作電源范圍內指定。 目標應用包括由超低導通電阻（0.4Ω）和快速開關速度獲益的電池供電設備。 先斷后合切換可防止兩個開關同時啟用。 這消除了切換過程中的信號中斷。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4699 BCT4699是四路單刀雙擲模擬開關，有兩個公共控制輸入口。每個數字輸入控制兩對單刀雙擲開關。該模擬開關是雙向的，支持多路信號的復用和解復用，先關斷再閉合。工作電壓1.6V到5.0V，工作溫度范圍-40°C到+85°C。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4222A BCT4222A是高帶寬，快速雙刀雙擲（DPDT）模擬開關。 其寬帶寬和低比特位偏移允許它們傳遞具有良好信號完整性的高速差分信號。 每個開關都是雙向的，對輸出端的高速信號幾乎沒有衰減。 業(yè)界領先的優(yōu)勢包括低通道電阻和低I / O電容導致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串擾抑制效果使噪聲干擾達到最小。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4222B BCT4222B是一款高帶寬，快速雙刀雙擲（DPDT）模擬開關。 其寬帶寬和低位偏移使其能夠傳遞具有良好信號完整性的高速差分信號。 每個開關都是雙向的，對輸出端的高速信號幾乎沒有衰減。 業(yè)界領先的優(yōu)勢包括低通道電阻和低I / O電容導致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串擾抑制效果使噪聲干擾達到最小。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4222C BCT4222C是一款高帶寬，快速雙刀雙擲（DPDT）模擬開關。 它具有寬帶寬和低比特位偏移，可以傳遞高速差分信號，并具有良好的信號完整性。 每個開關都是雙向的，對輸出端的高速信號幾乎沒有衰減。 業(yè)界領先的優(yōu)勢包括低通道電阻和低I / O電容導致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串擾抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4227 BCT4227是一個高帶寬，快速雙刀雙擲模擬開關。高帶寬和低的點位偏移能通過高速差分信號，并且具有良好的信號完整性。每路開關是雙向的，當輸入高速信號時，幾乎無衰減。通道電阻和IO口電容很小，信號傳輸延時少于250ps。通道間高的通道間串擾抑制度使得噪聲干擾變的很小。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4717 BCT4717是兩路，雙向單刀雙擲CMOS模擬開關，工作電壓從1.8V到5.5V。高帶寬（300MHz）， 低導通電阻（4.5ΩTyp），目標應用在音頻信號的切換。 BCT4717的特性保證了通道間的匹配度（0.3Ω）最大值，同時保證了通道電阻在信號范圍內的平坦度（2.3ΩTyp)。當切換音頻信號時，這些確保了良好的線性度和低失真。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4221 BCT4221雙刀雙擲（DPDT）模擬開關復用高速（480MHz）USB和音頻模擬信號。 一個通道具有較寬的帶寬和較低的比特位偏移，因此可以傳遞具有良好信號完整性的高速差分信號。 另一個通道具有超低導通電阻（1.0Ω）。 每個開關都是雙向的，對輸出端的信號幾乎沒有衰減。 業(yè)界領先的優(yōu)勢包括低通道電阻和低I / O電容導致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串擾抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4321A BCT4321A雙刀雙擲（DPDT）模擬開關將USB和音頻模擬信號進行多路復用。 一個通道具有較寬的帶寬和較低的比特位偏移，因此可以傳遞具有良好信號完整性的高速差分信號。 另一個通道具有超低導通電阻（1.0Ω）。 每個開關都是雙向的，對輸出端的信號幾乎沒有衰減。 業(yè)界領先的優(yōu)勢包括低通道電阻和低I / O電容導致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串擾抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4321B BCT4321B雙刀雙擲（DPDT）模擬開關可復用USB和音頻模擬信號。 一個通道具有較寬的帶寬和較低的比特位偏移，因此可以傳遞具有良好信號完整性的高速差分信號。 另一個通道具有超低導通電阻（1.0Ω）。 每個開關都是雙向的，對輸出端的信號幾乎沒有衰減。 業(yè)界領先的優(yōu)勢包括低通道電阻和低I / O電容導致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串擾抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
BCT4321N BCT4321N是雙刀雙擲（DPDT）模擬開關，帶有多路復用USB2.0和負信號音頻模擬信號。 一個通道具有較寬的帶寬和較低的比特位偏移，因此可以傳遞具有良好信號完整性的高速差分信號。 另一個通道具有超低導通電阻（1.0Ω）。 每個開關都是雙向的，對輸出端的信號幾乎沒有衰減。 業(yè)界領先的優(yōu)勢包括低通道電阻和低I / O電容導致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串擾抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術（上海）股份有限公司
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