芯片型號 | 芯片描述 | 制造廠商 |
SMB-05L56 | 北京伊泰克電子有限公司 | |
SMB-05L57 | 北京伊泰克電子有限公司 | |
SMB-3.3L51(52) | 北京伊泰克電子有限公司 | |
KSR-5.0V4M1 | 北京伊泰克電子有限公司 | |
KSR-5.0V2M2 | 北京伊泰克電子有限公司 | |
KSR-5.0V1M2 | 北京伊泰克電子有限公司 | |
SMB-05L51(52) | 北京伊泰克電子有限公司 | |
2ES032XXXZ1JL系列 | 瞬態(tài)電壓抑制二極管芯片 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
2ES050067Z1PYL系列 | 瞬態(tài)電壓抑制二極管芯片 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
2ES050XXXZ1YL系列 | 瞬態(tài)電壓抑制二極管芯片 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
2SF145200SYL | 超快恢復二極管芯片 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
2SF145400SYL | 超快恢復二極管芯片 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
2SF160400SYL | 超快恢復二極管芯片 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
2SF162200SYL | 超快恢復二極管芯片 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
2SF180200SYL | 超快恢復二極管芯片 | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
P4SMA | TVS保護二極管芯片制作采用GPP工藝,制作出的產品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點。 | 天津中環(huán)半導體股份有限公司 |
SMAJ | TVS保護二極管芯片制作采用GPP工藝,制作出的產品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點。 | 天津中環(huán)半導體股份有限公司 |
P6KE | TVS保護二極管芯片制作采用GPP工藝,制作出的產品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點。 | 天津中環(huán)半導體股份有限公司 |
P6SMB | TVS保護二極管芯片制作采用GPP工藝,制作出的產品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點。 | 天津中環(huán)半導體股份有限公司 |
SMBJ | TVS保護二極管芯片制作采用GPP工藝,制作出的產品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點。 | 天津中環(huán)半導體股份有限公司 |
1.5KE | TVS保護二極管芯片制作采用GPP工藝,制作出的產品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點。 | 天津中環(huán)半導體股份有限公司 |
1.5SMC | TVS保護二極管芯片制作采用GPP工藝,制作出的產品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點。 | 天津中環(huán)半導體股份有限公司 |
SMCJ | TVS保護二極管芯片制作采用GPP工藝,制作出的產品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點。 | 天津中環(huán)半導體股份有限公司 |