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芯片分類

芯片列表

芯片型號(hào) 芯片描述 制造廠商
CiT-FCT138T 一款高速的1-8 解碼器/ 輸出選擇器，該器件非常適合高速雙極性存儲(chǔ)器芯片的地址譯碼 高科創(chuàng)芯（北京）科技有限公司
CiT-FCT244T 具有三態(tài)輸出的八路緩沖器和線路驅(qū)動(dòng)器，用作存儲(chǔ)器和地址驅(qū)動(dòng)器、時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器和總線發(fā)送器/ 接收器 高科創(chuàng)芯（北京）科技有限公司
XC2023 XC3023 XC3023是主要用于JMK-94F系列磁保持繼電器的專用集成電路。 北京福星曉程電子科技股份有限公司
MC4581-4583 MC4581L是一款低壓，CMOS工藝，帶有一路八選一的模擬集成電路 北京麥格希爾微電子有限公司
MC82C55 MC82C55是一款可編程通用的I/O接口器件，器件采用3um硅柵CMOS工藝制造 北京麥格希爾微電子有限公司
MC82C53 MC82C53是 一　款 應(yīng)　用于微機(jī)系統(tǒng)的可編程通用的計(jì)時(shí)器，器件采用3um CMOS硅柵工藝 北京麥格希爾微電子有限公司
MC82C51 　MC82C51是一個(gè)用于串行數(shù)據(jù)通信的USART（通用同步/異步接收發(fā)送器） 北京麥格希爾微電子有限公司
MC3512 北京麥格希爾微電子有限公司
MC3115 北京麥格希爾微電子有限公司
MC4910 北京麥格希爾微電子有限公司
MC4210 北京麥格希爾微電子有限公司
MC4202 北京麥格希爾微電子有限公司
MC6000 　MC6000主要用來(lái)滿足GaAs和HEMT場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET） 北京麥格希爾微電子有限公司
MC4000 　MC4000主要用來(lái)滿足GaAs和HEMT場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET） 北京麥格希爾微電子有限公司
MC3211 MC3211主要用來(lái)滿足GaAs和HEMT場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET） 北京麥格希爾微電子有限公司
BCT4157 BCT4157是一個(gè)高帶寬，快速的單刀雙擲CMOS開關(guān)。它可用于模擬量的開關(guān)或者一個(gè)低延時(shí)的總線開關(guān)。工作電壓1.65V到5.5V，在2.7V供電情況下，最大導(dǎo)通電阻4.5Ω，在4.5V供電情況下，最大導(dǎo)通電阻為3.5Ω。 先關(guān)斷再閉合避免了兩路開關(guān)同時(shí)打開,在開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，這將消除信號(hào)的失真。 控制輸入S端，允許的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)幅值達(dá)到5.5V并且和供電電壓是獨(dú)立的?？商娲袌?chǎng)上的FSA3157/NC7SB3157。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4157B BCT4157是一個(gè)高帶寬，快速的單刀雙擲CMOS開關(guān)。它可用于模擬量的開關(guān)或者一個(gè)低延時(shí)的總線開關(guān)。工作電壓1.65V到5.5V，在2.7V供電情況下，最大導(dǎo)通電阻4.5Ω，在4.5V供電情況下，最大導(dǎo)通電阻為3.5Ω。 先關(guān)斷再閉合避免了兩路開關(guān)同時(shí)打開,在開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，這將消除信號(hào)的失真。 控制輸入S端，允許的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)幅值達(dá)到5.5V并且和供電電壓是獨(dú)立的?？商娲袌?chǎng)上的FSA3157/NC7SB3157。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4257 BCT4257是一個(gè)高帶寬，快速的單刀雙擲CMOS開關(guān)。它可用于模擬量的開關(guān)或者一個(gè)低延時(shí)的總線開關(guān)。工作電壓1.65V到5.5V，在2.7V供電情況下，最大導(dǎo)通電阻4.5Ω，在4.5V供電情況下，最大導(dǎo)通電阻為3.5Ω。 先關(guān)斷再閉合避免了兩路開關(guān)同時(shí)打開,在開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，這將消除信號(hào)的失真。 控制輸入S端，允許的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)幅值達(dá)到5.5V并且和供電電壓是獨(dú)立的。可替代市場(chǎng)上的74LVC1G3157。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4223 BCT4223是一款高性能雙路單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。 在1.65V至5.0V的寬工作電源范圍內(nèi)指定。 目標(biāo)應(yīng)用包括由超低導(dǎo)通電阻（0.4Ω）和快速開關(guān)速度獲益的電池供電設(shè)備。先開后切開關(guān)可以防止兩個(gè)開關(guān)同時(shí)啟用。 這消除了切換過(guò)程中的信號(hào)中斷。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4268 BCT4268是一款高性能雙路單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。 在1.65V至5.0V的寬工作電源范圍內(nèi)指定。 目標(biāo)應(yīng)用包括由超低導(dǎo)通電阻（0.4Ω）和快速開關(guān)速度獲益的電池供電設(shè)備。 先斷后合切換可防止兩個(gè)開關(guān)同時(shí)啟用。 這消除了切換過(guò)程中的信號(hào)中斷。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4699 BCT4699是四路單刀雙擲模擬開關(guān)，有兩個(gè)公共控制輸入口。每個(gè)數(shù)字輸入控制兩對(duì)單刀雙擲開關(guān)。該模擬開關(guān)是雙向的，支持多路信號(hào)的復(fù)用和解復(fù)用，先關(guān)斷再閉合。工作電壓1.6V到5.0V，工作溫度范圍-40°C到+85°C。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4222A BCT4222A是高帶寬，快速雙刀雙擲（DPDT）模擬開關(guān)。 其寬帶寬和低比特位偏移允許它們傳遞具有良好信號(hào)完整性的高速差分信號(hào)。 每個(gè)開關(guān)都是雙向的，對(duì)輸出端的高速信號(hào)幾乎沒(méi)有衰減。 業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)包括低通道電阻和低I / O電容導(dǎo)致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串?dāng)_抑制效果使噪聲干擾達(dá)到最小。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4222B BCT4222B是一款高帶寬，快速雙刀雙擲（DPDT）模擬開關(guān)。 其寬帶寬和低位偏移使其能夠傳遞具有良好信號(hào)完整性的高速差分信號(hào)。 每個(gè)開關(guān)都是雙向的，對(duì)輸出端的高速信號(hào)幾乎沒(méi)有衰減。 業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)包括低通道電阻和低I / O電容導(dǎo)致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串?dāng)_抑制效果使噪聲干擾達(dá)到最小。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4222C BCT4222C是一款高帶寬，快速雙刀雙擲（DPDT）模擬開關(guān)。 它具有寬帶寬和低比特位偏移，可以傳遞高速差分信號(hào)，并具有良好的信號(hào)完整性。 每個(gè)開關(guān)都是雙向的，對(duì)輸出端的高速信號(hào)幾乎沒(méi)有衰減。 業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)包括低通道電阻和低I / O電容導(dǎo)致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串?dāng)_抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4227 BCT4227是一個(gè)高帶寬，快速雙刀雙擲模擬開關(guān)。高帶寬和低的點(diǎn)位偏移能通過(guò)高速差分信號(hào)，并且具有良好的信號(hào)完整性。每路開關(guān)是雙向的，當(dāng)輸入高速信號(hào)時(shí)，幾乎無(wú)衰減。通道電阻和IO口電容很小，信號(hào)傳輸延時(shí)少于250ps。通道間高的通道間串?dāng)_抑制度使得噪聲干擾變的很小。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4717 BCT4717是兩路，雙向單刀雙擲CMOS模擬開關(guān)，工作電壓從1.8V到5.5V。高帶寬（300MHz）， 低導(dǎo)通電阻（4.5ΩTyp），目標(biāo)應(yīng)用在音頻信號(hào)的切換。 BCT4717的特性保證了通道間的匹配度（0.3Ω）最大值，同時(shí)保證了通道電阻在信號(hào)范圍內(nèi)的平坦度（2.3ΩTyp)。當(dāng)切換音頻信號(hào)時(shí)，這些確保了良好的線性度和低失真。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4221 BCT4221雙刀雙擲（DPDT）模擬開關(guān)復(fù)用高速（480MHz）USB和音頻模擬信號(hào)。 一個(gè)通道具有較寬的帶寬和較低的比特位偏移，因此可以傳遞具有良好信號(hào)完整性的高速差分信號(hào)。 另一個(gè)通道具有超低導(dǎo)通電阻（1.0Ω）。 每個(gè)開關(guān)都是雙向的，對(duì)輸出端的信號(hào)幾乎沒(méi)有衰減。 業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)包括低通道電阻和低I / O電容導(dǎo)致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串?dāng)_抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4321A BCT4321A雙刀雙擲（DPDT）模擬開關(guān)將USB和音頻模擬信號(hào)進(jìn)行多路復(fù)用。 一個(gè)通道具有較寬的帶寬和較低的比特位偏移，因此可以傳遞具有良好信號(hào)完整性的高速差分信號(hào)。 另一個(gè)通道具有超低導(dǎo)通電阻（1.0Ω）。 每個(gè)開關(guān)都是雙向的，對(duì)輸出端的信號(hào)幾乎沒(méi)有衰減。 業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)包括低通道電阻和低I / O電容導(dǎo)致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串?dāng)_抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4321B BCT4321B雙刀雙擲（DPDT）模擬開關(guān)可復(fù)用USB和音頻模擬信號(hào)。 一個(gè)通道具有較寬的帶寬和較低的比特位偏移，因此可以傳遞具有良好信號(hào)完整性的高速差分信號(hào)。 另一個(gè)通道具有超低導(dǎo)通電阻（1.0Ω）。 每個(gè)開關(guān)都是雙向的，對(duì)輸出端的信號(hào)幾乎沒(méi)有衰減。 業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)包括低通道電阻和低I / O電容導(dǎo)致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串?dāng)_抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
BCT4321N BCT4321N是雙刀雙擲（DPDT）模擬開關(guān)，帶有多路復(fù)用USB2.0和負(fù)信號(hào)音頻模擬信號(hào)。 一個(gè)通道具有較寬的帶寬和較低的比特位偏移，因此可以傳遞具有良好信號(hào)完整性的高速差分信號(hào)。 另一個(gè)通道具有超低導(dǎo)通電阻（1.0Ω）。 每個(gè)開關(guān)都是雙向的，對(duì)輸出端的信號(hào)幾乎沒(méi)有衰減。 業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)包括低通道電阻和低I / O電容導(dǎo)致的傳播延遲小于250ps。 其較高的通道間串?dāng)_抑制功能可以降低噪聲干擾。 廣芯電子技術(shù)（上海）股份有限公司
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