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芯片分類

芯片列表

芯片型號(hào) 芯片描述 制造廠商
SMB-05L56 北京伊泰克電子有限公司
SMB-05L57 北京伊泰克電子有限公司
SMB-3.3L51(52) 北京伊泰克電子有限公司
KSR-5.0V4M1 北京伊泰克電子有限公司
KSR-5.0V2M2 北京伊泰克電子有限公司
KSR-5.0V1M2 北京伊泰克電子有限公司
SMB-05L51(52) 北京伊泰克電子有限公司
2ES032XXXZ1JL系列 瞬態(tài)電壓抑制二極管芯片 杭州士蘭微電子股份有限公司
2ES050067Z1PYL系列 瞬態(tài)電壓抑制二極管芯片 杭州士蘭微電子股份有限公司
2ES050XXXZ1YL系列 瞬態(tài)電壓抑制二極管芯片 杭州士蘭微電子股份有限公司
2SF145200SYL 超快恢復(fù)二極管芯片 杭州士蘭微電子股份有限公司
2SF145400SYL 超快恢復(fù)二極管芯片 杭州士蘭微電子股份有限公司
2SF160400SYL 超快恢復(fù)二極管芯片 杭州士蘭微電子股份有限公司
2SF162200SYL 超快恢復(fù)二極管芯片 杭州士蘭微電子股份有限公司
2SF180200SYL 超快恢復(fù)二極管芯片 杭州士蘭微電子股份有限公司
P4SMA TVS保護(hù)二極管芯片制作采用GPP工藝，制作出的產(chǎn)品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點(diǎn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
SMAJ TVS保護(hù)二極管芯片制作采用GPP工藝，制作出的產(chǎn)品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點(diǎn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
P6KE TVS保護(hù)二極管芯片制作采用GPP工藝，制作出的產(chǎn)品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點(diǎn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
P6SMB TVS保護(hù)二極管芯片制作采用GPP工藝，制作出的產(chǎn)品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點(diǎn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
SMBJ TVS保護(hù)二極管芯片制作采用GPP工藝，制作出的產(chǎn)品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點(diǎn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
1.5KE TVS保護(hù)二極管芯片制作采用GPP工藝，制作出的產(chǎn)品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點(diǎn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
1.5SMC TVS保護(hù)二極管芯片制作采用GPP工藝，制作出的產(chǎn)品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點(diǎn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
SMCJ TVS保護(hù)二極管芯片制作采用GPP工藝，制作出的產(chǎn)品具有可靠性高、反向電壓集中度高、VC能力高、抗浪涌能力高的特點(diǎn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
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